Prêtable
| Titre : | Dispositifs de l'électronique de puissance Vol 1 |
| Auteurs : | Jacques Arnould ; Pierre Merle |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris [France] : Hermes, 1992 |
| Collection : | Traités des nouvelles technologies (Série : Electronique) |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-86601-306-9 |
| Format : | 482 p. / ill.; couv. en coul. / 24 cm. |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Index. décimale : | 621.317 (Dispositifs de commande électrique (disjoncteurs, dispositifs de mise à la terre, électronique de puissance, équipement de commutation, fusibles, parafoudres, relais, rhéostats)) |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Silicium ; Transistors ; Métal ; Diodes |
| Résumé : |
Les dispositifs de l'électronique de puissance ont désormais une importance capitale pour les équipements associés. Traité certes dans les manuels de physique, ce domaine l'est rarement sous l'aspect de l'intégration dans un circuit. Il l'est ici à partir du comportement du silicium, et ceci avec les classiques de l'ingénieur : thermique, protection, claquage, surcharge... Le contenu de cet ouvrage comble donc une lacune dans le paysage éditorial français et européen. Présenté en deux volumes - 1 000 pages, 1 500 illustrations -, articulé selon la nature des interrupteurs, il est le résultat d'une longue expérience industrielle et pédagogique. Etudiants, techniciens, ingénieurs, enseignants trouveront dans Dispositifs de l'électronique de puissance un examen détaillé et une description exhaustive de ces structures et de leur mise en oeuvre dans les circuits.
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| Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Généralités Article 1: Historique Article 2: Électronique de puissance Article 3: Semiconducteurs Article 4: Dispositifs Article 5: Silicium Article 6: Prises de contact Article 7: Problèmes thermiques Chapitre 2: La charge, le métal et le silicium Article 1: Introduction Article 2: Mécanismes de conduction dans les semiconducteurs Article 3: Évacuations des charges, approche des régimes transitoires. Article 4: Schottky, contact métal-semiconducteur, tenue en tension Chapitre 3: Diodes. Article 1: Généralités Article 2: Tenue en tension statique Article 3: Tenue en courant permanent. Article 4: Transitoires Chapitre 4: Transistors à effet de champ à grille isolée unipolaire Article 1: Généralités sur les transistors à effet de champ Article 2: Effet de champ Article 3: Conception technologique Article 4: Tenue en tension statique. Article 5: Tenue en courant permanent. Article 6: Transitoires Article 7: Compléments. |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|
| F8/5132 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
