Prêtable
Titre : | Physique des dispositifs semi-conducteurs |
Auteurs : | Jean-Pierre Colinge ; Fernand Van De Wiele |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Bruxelles [Belgique] : De Boeck, 1996 |
ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-8041-2107-5 |
Format : | 388 p. / ill.; couv. en coul. / 24 cm. |
Langues: | Français |
Langues originales: | Français |
Index. décimale : | 537.622 (Semi-conductivité (phénomènes énergétiques dans les semi-conducteurs, physique de l'état solide des semi-conducteurs, physique des surfaces des semi-conducteurs)) |
Catégories : | |
Mots-clés: | Semi-conducteurs ; Oxyde ; Transistor |
Résumé : |
L'électronique est la première industrie mondiale et dix pour-cent de ses revenus sont générés par la production de composants semi-conducteurs. Destiné aux enseignants et aux étudiants du 2e cycle universitaire et de l'enseignement supérieur, cet ouvrage décrit les matières suivantes : les équations de transport, les phénomènes de génération-recombinaison, la jonction PN, la diode Schottky, le MESFET, le JFET, le transistor MOS, le transistor bipolaire, les CCD, les dispositifs à hétérojonction (HEMT, HBT, diode laser), et les dispositifs à effet quantique et de faible dimensionnalité. Conscient de ce fait, l'auteur décrit en détail dans le présent ouvrage la physique des semiconducteurs en accompagnant son propos d'une série d'exercices résolus (de façon analytique ou sous forme de fichiers MATLAB) ont été ajoutés afin de faciliter la compréhension active. En outre, toutes les expressions mathématiques sont démontrées avec minutie.
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Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Théorie des bandes d'énergie d'un semi-conducteur Chapitre 2: Théorie de la conductivité électrique et équations de transport Chapitre 3: Phénomènes de génération et de recombinaison Chapitre 4: La jonction PN Chapitre 5: La diode Schottky Chapitre 6: Le Jfet Chapitre 7: Le Mesfet Chapitre 8: Le transistor à base perméable Chapitre 9: Le transistor Mos Chapitre 10: Le Ccd Chapitre 11: Le transistor bipolaire Chapitre 12: Le Thyristor Chapitre 13: Dispositifs à hétérojonctions Chapitre 14: Dispositifs à effet quantique Chapitre 15: Procédés technologiques de base Chapitre 16: Filières technologiques Chapitre 17: Constantes physiques et données numériques |
Exemplaires (1)
Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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F8/466 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |