Prêtable
| Titre : | Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance |
| Auteurs : | Frédéric Morancho |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris [France] : Lavoisier, 2007 |
| Collection : | Traité EGEM (Série : électronique et micro-électronique) Dirigée par : Michel, bruel et daniel, pasquet |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7462-1254-1 |
| Format : | VP-371 p. / couv. ill. en coul. / 24 cm. |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Index. décimale : | 621.381 5 (Circuits et composants électroniques) |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Circuits intégrés ; MOS (électronique) ; Électronique de puissance |
| Résumé : |
Cet ouvrage aborde de nombreux aspects, problèmes, solutions et applications liées à la physique et à la modélisation des composants et circuits intégrés de puissance.
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| Note de contenu : |
Sommaire :
Chapitre 1: Introduction Chapitre 2: Physique spécifique et architecture des transistors MOS de puissance Chapitre 3: Robustesse et fiabilité des transistors MOS de puissance « conçus pour l'intégration » Chapitre 4: Modèles des transistors MOS de puissance Chapitre 5: Technologie des circuits intégrés de puissance Chapitre 6: Conception et applications des circuits intégrés de puissance |
Exemplaires (2)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|
| F8/4118 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
| F8/4119 | Livre | Bibliothèque de la Faculté de Technologie | Salle des livres | Disponible |
