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Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS a[...]texte imprimé
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Une moitié de cet ouvrage est réservé à la présentation des composants discrets : diodes, transistors à effets de champ et transistors bipolaires. L'autre moitié est consacrée à la résolution d'exercices : les sujets du chapitre 2 illustrent le [...]